因為專業(yè)
所以領(lǐng)先
板級封裝(Panel Level Packaging, PLP)是一種基于大尺寸基板(如510mm×515mm或600mm×600mm面板)的先進封裝技術(shù),通過高密度布線、芯片重構(gòu)和模塑工藝實現(xiàn)系統(tǒng)集成。其核心工藝流程和特點如下:
基板準備:在電路板表面預(yù)置凹陷的焊盤(第一焊墊),作為后續(xù)互連的基礎(chǔ)。
芯片貼裝:將切割后的裸片(Die)或元件通過鍵合層固定于基板,確保焊盤對齊。貼裝方式包括面朝上(Face Up)或面朝下(Face Down)。
鍵合工藝:使用可光刻鍵合材料、芯片粘結(jié)膜(DAF)或聚合物材料進行固定,避開焊盤區(qū)域以形成空隙。
電鍍銅柱/凸塊:通過光刻、濺射金屬膜(如銅、鈦)和電鍍工藝,在焊盤空隙中形成導(dǎo)電凸塊,實現(xiàn)芯片與基板的垂直互連。
再分布層(RDL):采用涂布、曝光、顯影、電鍍和刻蝕工藝制作高密度布線層,擴展I/O端口并優(yōu)化信號路徑。
環(huán)氧樹脂塑封:使用環(huán)氧模塑料(EMC)對芯片和基板進行整體包封,保護內(nèi)部結(jié)構(gòu)并增強機械強度。
研磨與開孔:研磨去除多余材料,露出銅柱或凸塊,后續(xù)通過光刻去除鈍化層,形成外部引腳或錫球焊接區(qū)域。
植球與外引腳處理:在RDL層接觸點種植錫球或形成凸塊下金屬層(UBM),完成外部電氣連接。
切割與檢測:將大面板切割為獨立封裝體,并進行電性能測試和可靠性驗證。
三維集成:支持芯片埋入基板內(nèi)部(如埋入式封裝)或堆疊,縮短互連路徑,減少寄生效應(yīng),提升高頻信號質(zhì)量。
高密度布線:RDL層線寬可達10μm以下,支持多芯片異構(gòu)集成,適用于復(fù)雜模組(如射頻前端、電源管理模塊)。
散熱優(yōu)化:通過環(huán)氧樹脂和金屬涂層(如銅/不銹鋼)實現(xiàn)高效熱管理,降低芯片工作溫度。
電磁屏蔽:采用濺射或電鍍工藝形成金屬屏蔽層,減少信號干擾,適用于射頻和傳感器芯片。
材料利用率高:矩形面板相比圓形晶圓減少邊緣浪費(晶圓級封裝利用率約64%,板級可達93%)。
規(guī)模效應(yīng)顯著:單次封裝可處理數(shù)千顆芯片,成本比晶圓級封裝降低約66%。
中低端市場:如功率IC、射頻模塊、PMIC等,逐步向高端領(lǐng)域(如HBM、AI芯片)擴展。
車規(guī)級芯片:新能源汽車中77%的半導(dǎo)體價值可通過扇出型板級封裝實現(xiàn),滿足高可靠性和成本需求。
技術(shù)升級:向10μm以下線寬、3D堆疊和混合埋入(芯片+無源元件)方向發(fā)展。
產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同:面板廠通過改造設(shè)備切入板級封裝市場,加速產(chǎn)業(yè)化進程。
國產(chǎn)化加速:國內(nèi)企業(yè)(如奕成科技、華潤微)已實現(xiàn)量產(chǎn),推動設(shè)備(如曝光機、研磨機)國產(chǎn)替代。
如需進一步了解具體工藝參數(shù)或應(yīng)用案例,可參考等來源。