一、技術(shù)區(qū)別分析

1.  技術(shù)定位與實(shí)現(xiàn)方式

2. 
   

2. 性能與成本對比

二、應(yīng)用場景分析

1. 系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）

• 消費(fèi)電子：智能手表、手機(jī)模組（集成射頻、傳感器等）。

• 通信模塊：5G基站、毫米波芯片（多層堆疊+高頻兼容）。

• 計(jì)算領(lǐng)域：AI芯片（異構(gòu)集成CPU、GPU、HBM）。

• 
  

2. TSV技術(shù)

• 高性能計(jì)算：英偉達(dá)H100、AMD MI300（硅基轉(zhuǎn)接板集成多芯片）。

• 存儲(chǔ)堆疊：HBM內(nèi)存（通過TSV實(shí)現(xiàn)與邏輯芯片的垂直互連）。

• 傳感器集成：高端MEMS傳感器（垂直互連提升精度）。

3. TGV技術(shù)

• 高頻通信：射頻前端模塊、CPO光模塊（低損耗傳輸）。

• AI服務(wù)器：替代硅基轉(zhuǎn)接板，降低功耗與成本（如壁仞科技BR100）。

• 光電子集成：硅光芯片與電芯片垂直互連（插損≤-0.35dB）。

三、技術(shù)演進(jìn)趨勢

1. SiP與TSV/TGV的協(xié)同：

• 通過RDL（重布線層）+ TSV/TGV實(shí)現(xiàn)水平+垂直異構(gòu)集成，滿足Chiplet需求。

2. TGV替代TSV的潛力：

• 玻璃基板在高頻、大尺寸場景逐步替代硅基，成本優(yōu)勢顯著。

3. 應(yīng)用場景擴(kuò)展：

• TGV向光通信、生物醫(yī)療傳感器等領(lǐng)域滲透，SiP向汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)擴(kuò)展。

總結(jié)

• SiP是封裝技術(shù)的“系統(tǒng)集成平臺(tái)”，而TSV/TGV是垂直互連的“關(guān)鍵技術(shù)”。

• TSV成熟但成本高，TGV在高頻和成本上更具優(yōu)勢，未來可能成為AI算力封裝的核心方向。

• 三者共同推動(dòng)后摩爾時(shí)代芯片性能提升，應(yīng)用場景覆蓋消費(fèi)電子、通信、計(jì)算、傳感器等多個(gè)領(lǐng)域。

先進(jìn)封裝芯片清洗劑選擇：

水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會(huì)作為一個(gè)長期的使用和運(yùn)行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣，通電后發(fā)生電化學(xué)遷移，形成樹枝狀結(jié)構(gòu)體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點(diǎn)、灰塵、塵埃等，這些污染物會(huì)導(dǎo)致焊點(diǎn)質(zhì)量降低、焊接時(shí)焊點(diǎn)拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關(guān)注的呢？助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo)，從產(chǎn)品失效情況來而言，焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大，嚴(yán)重者導(dǎo)致開路失效，因此焊后必須進(jìn)行嚴(yán)格的清洗，才能保障電路板的質(zhì)量。

合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

合明科技運(yùn)用自身原創(chuàng)的產(chǎn)品技術(shù)，滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術(shù)要求，打破國外廠商在行業(yè)中的壟斷地位，為芯片封裝材料全面國產(chǎn)自主提供強(qiáng)有力的支持。

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