因為專業(yè)
所以領(lǐng)先
FOPLP技術(shù)原理
扇出型面板級封裝(FOPLP)是基于重新布線層(RDL)工藝的創(chuàng)新技術(shù),通過將多個芯片、無源元件集成在大尺寸矩形基板(如510mm×515mm或600mm×600mm)上實現(xiàn)高密度互連。相比傳統(tǒng)晶圓級封裝(FOWLP),其面積利用率從85%提升至95%,邊緣無效區(qū)域減少,顯著提高生產(chǎn)效率。
核心優(yōu)勢
成本效益:通過大尺寸面板并行封裝,單位芯片成本降低66%(對比300mm晶圓級封裝);
高集成度:支持多芯片異構(gòu)集成,提升AI芯片帶寬和算力密度,滿足D2D互連需求;
散熱優(yōu)化:大面積基板改善熱傳導(dǎo)性能,適配高功耗AI/HPC芯片;
靈活設(shè)計:兼容玻璃、PCB等非硅基板,適應(yīng)多樣化芯片架構(gòu)迭代。
AI芯片領(lǐng)域應(yīng)用
頭部廠商布局:英偉達(dá)計劃2025年將GB200芯片導(dǎo)入FOPLP以緩解CoWoS產(chǎn)能瓶頸;臺積電、三星、英特爾同步研發(fā)矩形基板封裝技術(shù),預(yù)計2028年實現(xiàn)規(guī)?;?/p>
性能需求驅(qū)動:單顆B200 AI芯片需16套CoWoS封裝,而FOPLP可提升3倍封裝密度,支撐算力集群擴展。
產(chǎn)業(yè)鏈成熟度
上游設(shè)備/材料:需突破大尺寸面板光刻膠涂覆、翹曲控制等技術(shù)瓶頸,設(shè)備商如芯碁微裝、材料企業(yè)沃格光電加速配套;
封裝廠商:國內(nèi)華天科技通過盤古半導(dǎo)體項目布局FOPLP晶圓廠,2025年量產(chǎn);長電科技、通富微電聚焦2.5D/3D集成技術(shù)協(xié)同。
當(dāng)前瓶頸
良率與標(biāo)準(zhǔn)化:大尺寸面板良率低于晶圓級工藝,且缺乏統(tǒng)一封裝標(biāo)準(zhǔn);
熱管理復(fù)雜度:多芯片集成需優(yōu)化散熱方案,避免性能衰減。
未來趨勢
技術(shù)融合:與硅光子、混合鍵合結(jié)合,推動CPO(共封裝光學(xué))在AI數(shù)據(jù)中心的應(yīng)用;
市場規(guī)模:Yole預(yù)測FOPLP市場2028年達(dá)2.21億美元,復(fù)合增長率32.5%,主要增長來自AI/HPC和汽車電子。
FOPLP憑借成本與效率優(yōu)勢,正成為AI芯片封裝的主流方向。建議關(guān)注:
技術(shù)突破企業(yè):如華天科技(量產(chǎn)進度)、臺積電(技術(shù)迭代);
國產(chǎn)替代機會:封裝設(shè)備(芯碁微裝)、材料(華海誠科)等環(huán)節(jié)。
需警惕良率爬坡不及預(yù)期、行業(yè)競爭加劇等風(fēng)險。
AI芯片清洗劑選擇:
水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對清洗精密器件尤其重要,一旦選定,就會作為一個長期的使用和運行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。
污染物有多種,可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣,通電后發(fā)生電化學(xué)遷移,形成樹枝狀結(jié)構(gòu)體,造成低電阻通路,破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層,在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物,還有粒狀污染物,例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點、灰塵、塵埃等,這些污染物會導(dǎo)致焊點質(zhì)量降低、焊接時焊點拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。
這么多污染物,到底哪些才是最備受關(guān)注的呢?助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中,它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分,焊后必然存在熱改性生成物,這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo),從產(chǎn)品失效情況來而言,焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素,離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降,松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大,嚴(yán)重者導(dǎo)致開路失效,因此焊后必須進行嚴(yán)格的清洗,才能保障電路板的質(zhì)量。
合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。
合明科技運用自身原創(chuàng)的產(chǎn)品技術(shù),滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術(shù)要求,打破國外廠商在行業(yè)中的壟斷地位,為芯片封裝材料全面國產(chǎn)自主提供強有力的支持。
推薦使用合明科技水基清洗劑產(chǎn)品。