一、系統(tǒng)級封裝（SiP）與Flip-Chip倒裝封裝的技術(shù)對比與區(qū)別

1.  技術(shù)定義與核心差異

• Flip-Chip倒裝封裝
  通過將芯片的I/O觸點（焊球）直接倒置焊接至基板或載板，替代傳統(tǒng)引線鍵合工藝，縮短信號傳輸路徑，提升電氣性能和散熱能力。其核心是單芯片高性能封裝技術(shù)。
  典型工藝：UBM（底部金屬層）制備、凸點制作（Bumping）、倒裝焊接、底部填充等。

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• 系統(tǒng)級封裝（SiP）
  將多個功能芯片（如處理器、存儲器、無源器件等）集成到單一封裝內(nèi)，形成完整的子系統(tǒng)。核心在于多芯片異構(gòu)集成與系統(tǒng)功能優(yōu)化。
  典型工藝：Wire Bonding（引線鍵合）、Flip-Chip混合集成、TSV（硅通孔）等2。

2. 技術(shù)特性對比

3. 技術(shù)演進(jìn)關(guān)系

• Flip-Chip是SiP的關(guān)鍵支撐技術(shù)之一：在SiP中，F(xiàn)lip-Chip用于高密度芯片互聯(lián)（如處理器與存儲器的3D堆疊）。

• SiP可兼容Flip-Chip工藝，但需結(jié)合Wire Bonding、TSV等其他技術(shù)實現(xiàn)異構(gòu)集成。

二、應(yīng)用市場分析

1. Flip-Chip倒裝封裝市場

• 核心領(lǐng)域：

• 高性能計算：CPU、GPU等高頻芯片封裝（如Intel、AMD處理器）；

• 移動通信：5G射頻前端模塊（PA、濾波器）；

• 消費電子：手機主芯片、CIS圖像傳感器。

• 市場規(guī)模：受益于5G和AI芯片需求，2024年市場規(guī)模預(yù)計超120億美元。

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2. SiP系統(tǒng)級封裝市場

• 核心領(lǐng)域：

• 消費電子：智能手表（如Apple Watch）、TWS耳機集成傳感器與藍(lán)牙芯片；

• 車載電子：ADAS控制器、車載娛樂系統(tǒng)（集成MCU+存儲+通信模塊）；

• 物聯(lián)網(wǎng)：邊緣計算模組（集成AI芯片+無線通信）。

• 市場規(guī)模：2024年全球SiP市場超2000億美元，年復(fù)合增長率達(dá)12%。

3. 競爭格局與技術(shù)趨勢

• Flip-Chip：臺積電、三星主導(dǎo)先進(jìn)制程集成；國產(chǎn)廠商如藍(lán)箭電子已掌握Flip-Chip量產(chǎn)能力。

• SiP：日月光、安靠主導(dǎo)封裝服務(wù)；蘋果、華為推動消費級SiP定制化需求；TSV和3D封裝技術(shù)加速SiP微型化。

三、總結(jié)

• Flip-Chip更適用于單芯片的高性能需求場景，而SiP側(cè)重系統(tǒng)功能整合與空間壓縮。

• 未來協(xié)同：Flip-Chip將在SiP的3D堆疊中發(fā)揮關(guān)鍵作用，兩者共同推動先進(jìn)封裝向更高集成度、更低功耗演進(jìn)。

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芯片清洗劑選擇：

水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會作為一個長期的使用和運行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣，通電后發(fā)生電化學(xué)遷移，形成樹枝狀結(jié)構(gòu)體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點、灰塵、塵埃等，這些污染物會導(dǎo)致焊點質(zhì)量降低、焊接時焊點拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關(guān)注的呢？助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo)，從產(chǎn)品失效情況來而言，焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大，嚴(yán)重者導(dǎo)致開路失效，因此焊后必須進(jìn)行嚴(yán)格的清洗，才能保障電路板的質(zhì)量。

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