中國在芯片光刻技術(shù)領(lǐng)域近年取得多項(xiàng)重大突破，主要集中在以下方向：

一、EUV光源技術(shù)突破

1. 固體激光器技術(shù)
   中國科學(xué)院上海光機(jī)所林楠團(tuán)隊(duì)突破二氧化碳激光技術(shù)路線，采用固體激光器開發(fā)出LPP-EUV光源，能量轉(zhuǎn)換效率達(dá)3.42%，達(dá)到國際領(lǐng)先水平。該技術(shù)具備體積?。▋H為傳統(tǒng)設(shè)備1/3）、電光效率高（預(yù)計(jì)未來可達(dá)10倍提升）、成本低等優(yōu)勢。

2. 極紫外光生成技術(shù)
   哈工大研發(fā)團(tuán)隊(duì)成功實(shí)現(xiàn)13.5nm極紫外光技術(shù)突破，波長精度達(dá)到國際EUV光刻標(biāo)準(zhǔn)，為國產(chǎn)EUV光刻機(jī)核心光源技術(shù)奠定基礎(chǔ)。

二、新型光刻技術(shù)路線

1. 光子芯片技術(shù)
   上海交大無錫光子芯片研究院建成國內(nèi)首條光子芯片中試線，年產(chǎn)能達(dá)1萬片晶圓。光子芯片采用光傳輸替代電子傳輸，具備超高速、低功耗特性，可繞開傳統(tǒng)EUV光刻技術(shù)限制。

2. LDP替代技術(shù)
   華為團(tuán)隊(duì)研發(fā)的激光誘導(dǎo)放電等離子體技術(shù)（LDP），與ASML的LPP技術(shù)形成差異化競爭，計(jì)劃2026年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。該技術(shù)可支持7nm以下制程芯片制造。

三、產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵突破

1. 干式DUV光刻機(jī)
   國產(chǎn)首臺(tái)套干式DUV光刻機(jī)實(shí)現(xiàn)65nm分辨率，套刻精度≤8nm，通過多重曝光技術(shù)可支持7nm芯片制造，已進(jìn)入應(yīng)用驗(yàn)證階段。

2. 核心部件國產(chǎn)化
   高精度光學(xué)鏡頭（套刻誤差控制±0.8nm）、雙工件臺(tái)系統(tǒng)（定位精度0.1nm）等核心部件實(shí)現(xiàn)自主可控，良品率提升至85%以上。

四、國際影響與產(chǎn)業(yè)格局

1. 市場沖擊
   中國存儲(chǔ)芯片價(jià)格僅為國際同類產(chǎn)品50%，2024年集成電路出口額達(dá)1.03萬億元（+20.3%），長鑫存儲(chǔ)晶圓產(chǎn)量年增120%，導(dǎo)致三星/海力士市占率下降7.8%。

2. 技術(shù)話語權(quán)重構(gòu)
   ASML承認(rèn)中國已有能力制造EUV光源，但預(yù)估完整光刻機(jī)研發(fā)仍需時(shí)間。中國在光子芯片等新興賽道的突破，可能重塑全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局。

這些突破標(biāo)志著中國正通過多技術(shù)路徑突破光刻封鎖，據(jù)工信部數(shù)據(jù)，2024年國產(chǎn)光刻設(shè)備交付量同比增長217%，在28nm及以上成熟制程領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)85%自給率。未來需關(guān)注技術(shù)成果向商業(yè)量產(chǎn)轉(zhuǎn)化的進(jìn)程。

芯片清洗劑選擇：

水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會(huì)作為一個(gè)長期的使用和運(yùn)行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣，通電后發(fā)生電化學(xué)遷移，形成樹枝狀結(jié)構(gòu)體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點(diǎn)、灰塵、塵埃等，這些污染物會(huì)導(dǎo)致焊點(diǎn)質(zhì)量降低、焊接時(shí)焊點(diǎn)拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關(guān)注的呢？助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo)，從產(chǎn)品失效情況來而言，焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大，嚴(yán)重者導(dǎo)致開路失效，因此焊后必須進(jìn)行嚴(yán)格的清洗，才能保障電路板的質(zhì)量。

合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

合明科技運(yùn)用自身原創(chuàng)的產(chǎn)品技術(shù)，滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術(shù)要求，打破國外廠商在行業(yè)中的壟斷地位，為芯片封裝材料全面國產(chǎn)自主提供強(qiáng)有力的支持。

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