硅片表面污染物的分類與硅片清洗劑介紹

硅片又稱硅晶圓片， 是制作集成電路的重要材料，通過對硅片進(jìn)行光刻、離子注入等手段，可以制成集成電路和各種半導(dǎo)體器件。目前絕大多數(shù)半導(dǎo)體產(chǎn)品仍使用硅基材料制造，在硅片基礎(chǔ)上經(jīng)過光刻、刻蝕、沉積、拋光及清洗等工序的多次反復(fù)進(jìn)行，并經(jīng)切割、封測等環(huán)節(jié)后便形成了具有特定結(jié)構(gòu)和功能的芯片。

硅片表面污染物帶來的危害復(fù)雜，就從光刻間質(zhì)量控制來講。硅片表面的污染物在光刻過程中是形成圖形缺陷的致命因素，如果硅片在擴(kuò)散過程中，硅片表面污染物生長的氧化層，導(dǎo)致對雜質(zhì)擴(kuò)散的掩蔽能力減弱或喪失，就會(huì)對擴(kuò)散效果產(chǎn)生很大的影響。

下面合明科技小編給大家科普一下硅片表面污染物的分類與硅片清洗劑相關(guān)知識,希望能對您有所幫助!

硅片表面污染物的分類:

1、微粒：半導(dǎo)體器件，尤其是高密度的集成電路，容易受到顆粒的污染，器件對于污染物的敏感性取決于較小的特征圖形的尺寸和芯片表面淀積層的厚度。現(xiàn)在的量度尺寸 已經(jīng)降到了亞微米級別，這樣小的尺寸導(dǎo)致器件極容易受到由人員、設(shè)備和工藝反應(yīng)中 用到的化學(xué)藥品所產(chǎn)生的顆粒的污染。特征尺寸越小，膜層越薄，所允許的顆粒尺寸也就越小。 就工業(yè)生產(chǎn)的經(jīng)驗(yàn)而言，微粒的大小要小于器件上最小的特征尺寸的1/10倍，落于器件的關(guān)鍵部位的顆粒就會(huì)導(dǎo)致?lián)p害，這樣的顆粒被稱之為致命缺陷。而有些對顆粒存在于對顆粒不太敏感的區(qū)域則不會(huì)造成器件缺陷，但可能會(huì)對器件的可靠性造成影響。 

2、金屬離子：通過摻雜一些離子，使半導(dǎo)體器件形成我們需要的N型區(qū)域和P型區(qū)域，但是如果一些金屬離子存在于我們不希望存在的區(qū)域，那么這些金屬離子就成為了 一種污染，是我們必須避免和消除的。在芯片中會(huì)出現(xiàn)極少量的帶有電性的污染物會(huì)改變器件的電學(xué)特性，這類污染物被稱作可移動(dòng)離子污染物。這類離子在半導(dǎo)體中有較強(qiáng)的移動(dòng)性，帶有這類離子的器件即使在電學(xué)特性測試時(shí)通過了，通過移動(dòng)也會(huì)導(dǎo)致器件的失效，所以這類污染物潛在的危害是比較大的。 

3、細(xì)菌：細(xì)菌指的是在水的系統(tǒng)中或不定期清洗的物體表面生成的有機(jī)物。它的產(chǎn)生會(huì)給硅片引入顆粒污染物或金屬離子。 

4、化學(xué)品：工藝中運(yùn)用的化學(xué)藥品和水既是生產(chǎn)必需品，也是一類污染的來源?；瘜W(xué)藥品和水會(huì)對芯片造成痕量物質(zhì)的污染，這些痕量污染會(huì)造成不需要的刻蝕，或者在器件上形成無法除掉的化合物，或者引起不均勻的化學(xué)過程，如造成淀積的薄膜的厚度不均勻。

硅片清洗劑W3210介紹：

硅片清洗劑W3210是合明自主開發(fā)的PH中性配方的電子產(chǎn)品焊后殘留水基清洗劑。適用于清洗PCBA等不同類型的電子組裝件上的焊劑、錫膏殘留，包括SIP、WLP等封裝形式的半導(dǎo)體器件焊劑殘留。由于其PH中性，對敏感金屬和聚合物材料有絕佳的材料兼容性。

硅片清洗劑W3210的產(chǎn)品特點(diǎn)：

1、PH值呈中性，對鋁、銅、鎳、塑料、標(biāo)簽等敏感材料上顯示出絕佳的材料兼容性。

2、用去離子水按一定比例稀釋后不易起泡，可適用于噴淋、超聲工藝。

3、不含鹵素，材料環(huán)保；氣味清淡，使用液無閃點(diǎn)，使用安全，不需要額外的防爆措施。

4、由于PH中性，減輕污水處理難度。

硅片清洗劑W3210的適用工藝：

W3210水基清洗劑適用于在線式或批量式噴淋清洗工藝，也可應(yīng)用于超聲清洗工藝。

硅片清洗劑W3210產(chǎn)品應(yīng)用：

W3210可以應(yīng)用于不同類型的焊劑殘留的水基清洗劑。產(chǎn)品為濃縮液，清洗時(shí)可根據(jù)殘留物的清洗難易程度，用去離子水稀釋后再進(jìn)行使用，安全環(huán)保使用方便，是電子精密清洗高端應(yīng)用的理想之選。

具體應(yīng)用效果如下列表中所列：